一种简单控制相变制备β‑氮化硅晶须的方法
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技术详细介绍
本发明涉及一种制备β‑氮化硅晶须的方法，由α相的氮化硅粉体在气氛炉中充入氮气高温下通过控制氮化硅相变(α→β)烧结制备β‑氮化硅晶须。原始的α相氮化硅粉体在烧结炉的氮气气氛中升温至1500℃‑1800℃，保温0.5‑5h,可制备出一种长约10‑20微米、长径比大于15的高纯β‑氮化硅晶须。该发明的关键技术在于烧结过程中通过控制高温阶段α相氮化硅粉的相变速率制备高纯β‑氮化硅晶须。本发明方法制备的β‑氮化硅晶须具有转化率高、产物纯度高、制备设备简单、可批量生产的优势。