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柔性卷曲导电衬底上制备单原子层厚度金属薄膜的方法

交易价格: 面议

类型: 发明专利

所属行业: 专用化学

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201310535381.9

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 陕西师范大学

所在地:陕西 西安市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

摘要:一种柔性卷曲导电衬底上制备单原子层厚度金属薄膜的方法,由下述步骤组成:将柔性卷曲导电衬底放入制备器皿1中并连接到第一电极2,以惰性金属片作第二电极3,两电极间的距离为0.2~10cm,在制备器皿1中加入含待镀金属盐的沉积溶液,沉积液的加入量至浸没柔性卷曲导电衬底,调节pH值至2.0~7.5,加热不超过90℃,接通电源,调节两电极之间电压为-10~10V,在导电衬底上沉积一层金属薄膜或重复上述步骤在导电衬底上至少沉积一层金属薄膜或在导电衬底上交替沉积至少两种金属至少两层金属薄膜。本发明具有方法简单、所用的衬底可柔性卷曲、镀层为原子层等优点,可用于柔性卷曲导电衬底上沉积单原子层厚度金属薄膜。

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